大阪大学（山内和人教授、佐野泰久准教授）が考案した触媒基準エッチング法（CARE法）により、注目されている電気自動車や高速通信機器に使われるSiCやGaNの基板を原子レベルで平坦化する装置です。
CARE平坦化面（AFM）P-V：0.731nmRMS：0.086nm
左図のAB断面（模式図）4H-SiC c軸格子定数：1.008nm1ステップの高さ：0.252nm
上図のAB断面（模式図）4H-SiC c軸格子定数：1.008nm1ステップの高さ：0.252nm
・水のみで加工でき、環境に優しくコストを低減できる・加工変質層が無く、デバイス性能が向上する・独自の小振幅運動により、設置面積が4分の1（当社比）
半導体用ウエハの研磨にはCMP パッドと呼ばれる研磨用樹脂板が用いられますが、平坦化のための研磨コストは基板製造コストの約30％を占める重要な工程です。当社は、業界トップメーカーとして国内外のお客様のご要望にお応えしています。
当社創業以来の主業務です。大型の円型部品の加工を得意にしており、直径5mまでの加工が可能です。
発電用タービンや宇宙航空機の重要部品の加工、明石海峡大橋のケーブルバンドの機械加工等の実績があります。
明石海峡大橋：ケーブル機械加工世界最長の支柱スパン2,000mワイヤ直径1,100mm
