CARE设备是利用大阪大学（山内和人教授、佐野泰久准教授）提出的催化剂基准蚀刻法（CARE法），对备受瞩目的电动汽车及高速通信设备中使用的SiC及GaN基板进行原子级平坦化的设备。
CARE平坦化面（AFM）P-V：0.731nmRMS：0.086nm
左图的AB横截面（模式图）4H-SiC c轴晶格常数：1.008nm阶差高度：0.252nm
上图的AB横截面（模式图）4H-SiC c轴晶格常数：1.008nm阶差高度：0.252nm
·仅用水即可加工，即环保又能降低成本·没有加工变质层，设备性能提升·利用独有的小振幅运动，将安装面积缩小到四分之一（相比本公司以往产品）
半导体用晶片研磨中会使用被称为CMP研磨垫的研磨用树脂板，以平坦化为目的的研磨是成本约占基板制造成本30%的重要工序。本公司作为业界顶级制造商，不断满足国内外客户的需求。
本公司创业至今的主营业务。擅长加工大型圆形零件，实现最大加工直径5m。
拥有发电用涡轮机及航天器的重要零件加工、明石海峡大桥索夹的机械加工等实绩。
明石海峡大桥：电缆机械加工世界最长的主桥墩跨度2,000m线径1,100mm
