半導体用ウエハの研磨にはCMP パッドと呼ばれる研磨用樹脂板が用いられますが、平坦化のための研磨コストは基板製造コストの約30％を占める重要な工程です。当社は、CMPパッド加工装置のトップメーカー（中国シェア100％）として、25年にわたり国内外から高い評価をいただいています。
加工したCMPパッドの溝精度を確認するため、高精度測定機を用いた精度・品質確認が可能です。また、検査装置を組み込んだＣＭＰパッド加工装置も提供可能です。
深紫外線の殺菌効果並びに水銀ランプ代替用途により、深紫外LEDの需要が高まる中、深紫外LEDは高効率化と低コスト化が大きな課題となっています。
弊社では、三重大学（三宅教授）との共同研究を経て、スパッタ・アニール法による世界最高品質の結晶性（単結晶AlNと同等）を持つ高効率・低コストなサファイヤ基板上AlNテンプレートを実現しました。
従来市販されているサファイア基板の課題であった結晶欠陥による効率低下を改善し、高効率化を実現しています。
弊社製品を下地に用いれば、ステップテラスが観察されるAlN成膜が可能！
弊社製品と同等品質となるAlN単結晶基板と比べ、コストを1/10まで低減可能です。
安価で高品質な単結晶SiC基板を販売いたします。インゴット、4インチ、6インチ、８インチ基板も取り扱っております。
SiC基板の品質向上・低コスト化は、パワー半導体の市場拡大が見込まれる中で、大きな課題となっています。弊社では、関係企業と協力し、この課題を解決できる貼り合わせ技術を用いた高品質・低コストなボンディングSiC基板も提供可能です。
従来、高品質なSiC基板を製造するには、良質な結晶性を持つSiCを製造する必要があり、技術的な問題から高いコストが求められました。
ボンディング技術を用いることで、高品質SiC基板と低コストSiC基板を貼り合わせ、高品質・低コストを両立するSiC基板が製造可能です。
従来は、高品質なSiC基板の製造が難しく、納期に時間を要していました。
ボンディング技術では、1枚の高品質SiC基板を用いて、多数の高品質SiC基板が製造できるため、安定した供給が可能です。
当社創業以来の主業務です。大型の円型部品の加工を得意にしており、発電用タービンや宇宙航空機の重要部品の加工、明石海峡大橋のケーブルバンドの機械加工等の実績があります。現在は、その技術・知見を活かし、ミクロンレベルの加工精度が求められる弊社の半導体関連装置の部品製造を行っています。
大阪大学（山内和人教授、佐野泰久准教授）が考案した触媒基準エッチング法（CARE法）により、注目されている電気自動車や高速通信機器に使われるSiCやGaNの基板を原子レベルで平坦化する装置です。
弊社では、SiC基板の欠陥除去が可能な平坦加工技術（CARE法）とスパッタ・アニール法を組み合わせ、次世代高速通信に期待されるSiC基板を用いたAlNテンプレートの開発に取り組んでいます。
