1 . 次世代半導体基板平坦化加工装置(CARE装置)の製造販売
大阪大学(山内和人名誉教授、佐野泰久教授)が考案した触媒基準エッチング法(CARE法)により、注目されている電気自動車や高速通信機器に使われるSiCやGaNの基板を原子レベルで平坦化する装置です。


名古屋大学C-TEFs様納入装置


CARE平坦化面(AFM)
P-V:0.731nm
RMS:0.086nm

左図のAB断面(模式図)
4H-SiC c軸格子定数:1.008nm
1ステップの高さ:0.252nm
上図のAB断面(模式図)
4H-SiC c軸格子定数:1.008nm
1ステップの高さ:0.252nm
究極の平坦性が得られる
CARE法の特徴
・水のみで加工可能、環境に優しくコストを低減できる
・加工変質層が無く、デバイス性能が向上する
2 . CMP(Chemical Mechanical Polishing)パッド関連事業

(1)CMPパッド加工装置の製造及び受託加工
半導体用ウエハの研磨にはCMP パッドと呼ばれる研磨用樹脂板が用いられますが、平坦化のための研磨コストは基板製造コストの約30%を占める重要な工程です。当社は、業界トップメーカーとして国内外のお客様のご要望にお応えしています。
パッド加工装置の販売



研磨パッドの表面・溝加工

特殊溝加工

(2)CMPパッド検査装置



3 . 大型機械部品の加工
当社創業以来の主業務です。大型の円型部品の加工を得意にしており、直径5mまでの加工が可能です。
発電用タービンや宇宙航空機の重要部品の加工、明石海峡大橋のケーブルバンドの機械加工等の実績があります。
明石海峡大橋:ケーブル機械加工
世界最長の支柱スパン2,000m
ワイヤ直径1,100mm



4 . サファイア基板上AlNテンプレートの販売
深紫外線の殺菌効果並びに水銀ランプ代替用途により、深紫外LEDの需要が高まる中、深紫外LEDは高効率化と低コスト化が大きな課題となっています。
弊社では、三重大学(三宅教授)との共同研究を経て、スパッタ・アニール法による高効率・低コストなサファイヤ基板上AlNテンプレートを実現しました。
*弊社は、三重大学が保有する特許の独占実施権を得ています。

(1)世界最高の結晶品質による高効率化
従来市販されているサファイア基板の課題であった結晶欠陥による効率低下を改善し、高効率化を実現しています。
弊社製品を下地に用いれば、ステップテラスが観察されるAlN成膜が可能!

(2)圧倒的な低コスト化
弊社製品と同等品質となるAlN単結晶基板と比べ、コストを1/10まで低減可能です。

(3)次世代高速通信用AlNテンプレートの開発(技術展開)
弊社では、SiC基板の欠陥除去が可能な平坦加工技術(CARE法)とスパッタ・アニール法を組み合わせ、次世代高速通信に期待されるSiC基板を用いたAlNテンプレートの開発に取り組んでいます。


5 . 単結晶SiC基板とSiC貼り合わせ基板の販売
安価で高品質な単結晶SiC基板を販売いたします。インゴット、4インチ、6インチ、8インチ基板も取り扱っております。
SiC基板の品質向上・低コスト化は、パワー半導体の市場拡大が見込まれる中で、大きな課題となっています。弊社では、関係企業と協力し、この課題を解決できる貼り合わせ技術を用いた高品質・低コストなボンディングSiC基板も提供可能です。

(1)高品質・低コストの両立
従来、高品質なSiC基板を製造するには、良質な結晶性を持つSiCを製造する必要があり、技術的な問題か
ら高いコストが求められました。
ボンディング技術を用いることで、高品質SiC基板と低コストSiC基板を貼り合わせ、高品質・低コストを両立
するSiC基板が製造可能です。

(2)高品質基板の安定供給
従来は、高品質なSiC基板の製造が難しく、納期に時間を要していました。
ボンディング技術では、1枚の高品質SiC基板を用いて、多数の高品質SiC基板が製造できるため、安定
した供給が可能です。

