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CARE法(触媒基準エッチング法)
 弊社では、国立大学法人大阪大学 山内和人教授、佐野泰久准教授により発明されたCARE(CAtalyst-Referred Etching)法により、SiC及びGaN基板の研磨を行います。CARE法は、基板に傷が生じず、原子レベルの平坦化が可能です。また、潜傷も生じませんので、高品質な基板を提供できます。
 弊社により研磨した基板は、原子間力顕微鏡(AFM)等により品質検査を行います。
未加工面(60μm×80μm) 1μm加工後 2μm加工後
図  CARE法による加工面
新たなスクラッチやクラックの形成なく、凸部から平坦化しています(大阪大学研究データ)。





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